Tên sản phẩm : Mosfet IXFN38N100Q2 IXYS
Mã sản phẩm : IXFN38N100Q2
Thương hiệu : IXYS
Dòng điện : 38A
Điện thế : 1000V
thay thế tương đương các mã IXFN38N100P IXFN38N80Q2 IXFN38N100Q2 IXFN39N90
IXFN38N100Q2 MOSFET module công suất cao thuộc dòng HiperFET của IXYS, thiết kế chuyên dùng cho các ứng dụng đóng cắt tải lớn, điện áp cao. Thiết bị có khả năng chịu điện áp lên tới 1000V và dòng dẫn liên tục 38A, giúp vận hành ổn định trong các hệ thống công nghiệp yêu cầu khả năng chuyển mạch nhanh và hiệu suất cao. Với cấu trúc MOSFET công suất dạng module, sản phẩm mang lại khả năng tản nhiệt tốt và dễ dàng tích hợp vào các hệ thống điện công suất lớn.
– MOSFET công suất cao, chịu được điện áp 1000V, dòng tải liên tục 38A
– R<sub>DS(on)</sub> thấp chỉ 0.19 Ohm, giúp giảm nhiệt và tiết kiệm năng lượng
– Đóng cắt nhanh, phù hợp cho các ứng dụng xung và inverter
– Độ tin cậy cao, thích hợp với môi trường công nghiệp khắc nghiệt
– Hoạt động an toàn với dải nhiệt độ rộng từ -55°C đến +150°C
– Mã linh kiện: IXFN38N100Q2
– Loại MOSFET: Kênh N – HiperFET Power MOSFET
– Dòng điện dẫn liên tục: 38A
– Dòng điện xung tối đa: 152A
– Điện áp chịu đựng (V<sub>DSS</sub>): 1000V
– Điện trở R<sub>DS(on)</sub>: 0.19 Ohm @ V<sub>GS</sub> = 10V
– Điện áp điều khiển (V<sub>GS</sub>): ±20V
– Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C